12037-72-8
磷化锆
Zirconium Phosphide
ZrP
122.19
灰色粉末
4.75g/cm³
2040℃
4N (99.99%)
ICP-MS（99.99%，所有杂质低于100 ppm），XRD（主峰完美对称）
它被真空包装在瓶中，并由惰性气体保护。
芯片扩散源用于半导体制造过程中，将特定的杂质（掺杂剂）引入芯片表面，以改变材料的电学性质。扩散源可以是固态、液态或气态，常用于掺杂扩散和离子注入等工艺中。
12019-57-7
磷化铜
Copper Phosphide
Cu3P
灰黑色粉末
5.8g/cm³
979℃
4N (99.99%), 5N (99.999%)
ICP-MS（99.999%，所有杂质低于10 ppm），XRD（主峰完美对称）
它被真空包装在瓶中，并由惰性气体保护。
芯片扩散源用于半导体制造过程中，将特定的杂质（掺杂剂）引入芯片表面，以改变材料的电学性质。扩散源可以是固态、液态或气态，常用于掺杂扩散和离子注入等工艺中。
12325-59-6
磷化铪
Hafnium Phosphide
HfP
209.46
粉末
9.78g/cm³
2200℃
4N (99.99%)
ICP-MS（99.99%，所有杂质低于100 ppm），XRD（主峰完美对称）
它被真空包装在瓶中，并由惰性气体保护。
芯片扩散源用于半导体制造过程中，将特定的杂质（掺杂剂）引入芯片表面，以改变材料的电学性质。扩散源可以是固态、液态或气态，常用于掺杂扩散和离子注入等工艺中。
12037-65-9
磷化钛
Titanium Phosphide
TiP
78.8
灰色粉末
4.9g/cm³
2200℃
4N (99.99%)
ICP-MS（99.99%，所有杂质低于100 ppm），XRD（主峰完美对称）
它被真空包装在瓶中，并由惰性气体保护。
芯片扩散源用于半导体制造过程中，将特定的杂质（掺杂剂）引入芯片表面，以改变材料的电学性质。扩散源可以是固态、液态或气态，常用于掺杂扩散和离子注入等工艺中。
12014-28-7
磷化镉
Cadmium Phosphide
Cd3P2
143.39
1-20 毫米颗粒
5.96g/cm³
700℃
4N (99.99%), 5N (99.999%), 6N (99.9999%)
1314-84-7
磷化锌
Zinc Phosphide
Zn3P2
258.12
1-20 毫米颗粒
4.55g/cm³
1160℃
4N (99.99%), 5N (99.999%), 6N (99.9999%)
每瓶1公斤，瓶外采用铝塑复合膜真空包装。
芯片扩散源用于半导体制造过程中，将特定的杂质（掺杂剂）引入芯片表面，以改变材料的电学性质。扩散源可以是固态、液态或气态，常用于掺杂扩散和离子注入等工艺中。
12023-53-9
磷化铁
Iron Phosphide
Fe3P
198.51
1-20 毫米颗粒
6.74g/cm³
1100℃
3N (99.9%)