基本信息
CAS(化学文摘登记)号
304671-64-5
中文名称
醋酸铟水合物
英文名称
Indium(III) acetate
分子式
C6H11InO7
分子量
291.95 (anhydrous basis)
物理性质
外观
粉末
密度
熔点
沸点
其他信息
详细规格
纯度
4N (99.99%)
304671-64-5
醋酸铟水合物
Indium(III) acetate
C6H11InO7
291.95 (anhydrous basis)
粉末
4N (99.99%)
12325-59-6
磷化铪
Hafnium Phosphide
HfP
209.46
粉末
9.78g/cm³
2200℃
4N (99.99%)
ICP-MS(99.99%,所有杂质低于100 ppm),XRD(主峰完美对称)
它被真空包装在瓶中,并由惰性气体保护。
芯片扩散源用于半导体制造过程中,将特定的杂质(掺杂剂)引入芯片表面,以改变材料的电学性质。扩散源可以是固态、液态或气态,常用于掺杂扩散和离子注入等工艺中。
12037-65-9
磷化钛
Titanium Phosphide
TiP
78.8
灰色粉末
4.9g/cm³
2200℃
4N (99.99%)
ICP-MS(99.99%,所有杂质低于100 ppm),XRD(主峰完美对称)
它被真空包装在瓶中,并由惰性气体保护。
芯片扩散源用于半导体制造过程中,将特定的杂质(掺杂剂)引入芯片表面,以改变材料的电学性质。扩散源可以是固态、液态或气态,常用于掺杂扩散和离子注入等工艺中。
12005-75-3
砷化铜
Copper Arsenic
Cu3As2
340.4812
块状,粉末
7.56g/cm³
300℃
4N (99.99%), 5N (99.999%)
12037-72-8
磷化锆
Zirconium Phosphide
ZrP
122.19
灰色粉末
4.75g/cm³
2040℃
4N (99.99%)
ICP-MS(99.99%,所有杂质低于100 ppm),XRD(主峰完美对称)
它被真空包装在瓶中,并由惰性气体保护。
芯片扩散源用于半导体制造过程中,将特定的杂质(掺杂剂)引入芯片表面,以改变材料的电学性质。扩散源可以是固态、液态或气态,常用于掺杂扩散和离子注入等工艺中。
1333081-96-1
硫化锂锗磷
Lithium Germanium Phosphorus Sulfide
Li10GeP2S12
759.12
粉末
3N (99.9%)
每瓶1公斤,瓶外采用铝塑复合膜真空包装。
它用于固态锂电池的生产,能够增强电池的安全性、能量密度和寿命。
https://www.watsonchem.com/Lithium-Germanium-Phosphorus-Sulfide-Li10GeP2S12/
12019-57-7
磷化铜
Copper Phosphide
Cu3P
灰黑色粉末
5.8g/cm³
979℃
4N (99.99%), 5N (99.999%)
ICP-MS(99.999%,所有杂质低于10 ppm),XRD(主峰完美对称)
它被真空包装在瓶中,并由惰性气体保护。
芯片扩散源用于半导体制造过程中,将特定的杂质(掺杂剂)引入芯片表面,以改变材料的电学性质。扩散源可以是固态、液态或气态,常用于掺杂扩散和离子注入等工艺中。
1015037-41-8
氯化锂磷硫
Lithium phosphorus sulfur chloride
Li6PS5Cl
268.4
粉末
3N (99.9%)
每瓶1公斤,瓶外采用铝塑复合膜真空包装。
它用于固态锂电池的生产,能够增强电池的安全性、能量密度和寿命。
https://www.watsonchem.com/Lithium-phosphorus-sulfur-chloride-Li6PS5Cl/
12063-98-8
磷化镓
Gallium Phosphide
GaP
100.7
块状
4.13g/mL
1480℃
5N (99.999%), 6N (99.9999%)
1314-84-7
磷化锌
Zinc Phosphide
Zn3P2
258.12
1-20 毫米颗粒
4.55g/cm³
1160℃
4N (99.99%), 5N (99.999%), 6N (99.9999%)
每瓶1公斤,瓶外采用铝塑复合膜真空包装。
芯片扩散源用于半导体制造过程中,将特定的杂质(掺杂剂)引入芯片表面,以改变材料的电学性质。扩散源可以是固态、液态或气态,常用于掺杂扩散和离子注入等工艺中。