基本信息
CAS(化学文摘登记)号
7720-83-4
中文名称
四碘化钛
英文名称
Titanium Iodide
分子式
TiI4
分子量
555.48
物理性质
外观
颗粒状,粉末
密度
4.3g/mL
熔点
150℃
沸点
377.1℃
其他信息
详细规格
纯度
4N (99.99%)
7720-83-4
四碘化钛
Titanium Iodide
TiI4
555.48
颗粒状,粉末
4.3g/mL
150℃
377.1℃
4N (99.99%)
12014-28-7
磷化镉
Cadmium Phosphide
Cd3P2
143.39
1-20 毫米颗粒
5.96g/cm³
700℃
4N (99.99%), 5N (99.999%), 6N (99.9999%)
22398-80-7
磷化铟
Indium phosphide
InP
145.79
块状
4.787g/cm³
1070℃
6N (99.9999%)
12063-98-8
磷化镓
Gallium Phosphide
GaP
100.7
块状
4.13g/mL
1480℃
5N (99.999%), 6N (99.9999%)
1314-84-7
磷化锌
Zinc Phosphide
Zn3P2
258.12
1-20 毫米颗粒
4.55g/cm³
1160℃
4N (99.99%), 5N (99.999%), 6N (99.9999%)
每瓶1公斤,瓶外采用铝塑复合膜真空包装。
芯片扩散源用于半导体制造过程中,将特定的杂质(掺杂剂)引入芯片表面,以改变材料的电学性质。扩散源可以是固态、液态或气态,常用于掺杂扩散和离子注入等工艺中。
12134-02-0
磷化钴
Cobalt Phosphide
Co2P
148.84
灰色正交晶系结晶
6.4g/mL
1386℃
4N (99.99%)
每瓶1公斤,瓶外采用铝塑复合膜真空包装。
12163-69-8
磷化钼
Molybdenum Phosphide
MoP
126.92
块状,粉末
7.34g/cm³
3N (99.9%)
12023-53-9
磷化铁
Iron Phosphide
Fe3P
198.51
1-20 毫米颗粒
6.74g/cm³
1100℃
3N (99.9%)
13573-08-5
二碘化锗
Germanium Iodide
GeI2
366.22
块状,粉末
5.67g/mL
388℃
787℃
4N (99.99%), 5N (99.999%)
10377-58-9
二碘化镁
Magnesium Iodide
MgI2
278.11
粉末
4.43g/mL
637℃
908.75℃
3N (99.9%)