基本信息
CAS(化学文摘登记)号
12063-98-8
中文名称
磷化镓
英文名称
Gallium Phosphide
分子式
GaP
分子量
100.7
物理性质
外观
块状
密度
4.13g/mL
熔点
1480℃
沸点
其他信息
详细规格
纯度
5N (99.999%), 6N (99.9999%)
12063-98-8
磷化镓
Gallium Phosphide
GaP
100.7
块状
4.13g/mL
1480℃
5N (99.999%), 6N (99.9999%)
1314-84-7
磷化锌
Zinc Phosphide
Zn3P2
258.12
1-20 毫米颗粒
4.55g/cm³
1160℃
4N (99.99%), 5N (99.999%), 6N (99.9999%)
每瓶1公斤,瓶外采用铝塑复合膜真空包装。
芯片扩散源用于半导体制造过程中,将特定的杂质(掺杂剂)引入芯片表面,以改变材料的电学性质。扩散源可以是固态、液态或气态,常用于掺杂扩散和离子注入等工艺中。
12134-02-0
磷化钴
Cobalt Phosphide
Co2P
148.84
灰色正交晶系结晶
6.4g/mL
1386℃
4N (99.99%)
每瓶1公斤,瓶外采用铝塑复合膜真空包装。
12163-69-8
磷化钼
Molybdenum Phosphide
MoP
126.92
块状,粉末
7.34g/cm³
3N (99.9%)
12023-53-9
磷化铁
Iron Phosphide
Fe3P
198.51
1-20 毫米颗粒
6.74g/cm³
1100℃
3N (99.9%)
1310-43-6
磷化亚铁
Iron Phosphide
Fe2P
142.66
块状,粉末
6.85g/cm³
1370℃
3N (99.9%)
12035-64-2
磷化镍
Nickel Phosphide
Ni2P
148.36
块状,粉末
7.33g/cm³
1100℃
3N (99.9%)
12006-15-4
砷化镉
Cadmium Arsenic
Cd2As3
487.08
块状,粉末
3.031g/cm³
721℃
4N (99.99%), 5N (99.999%), 6N (99.9999%)
1303-00-0
砷化镓
Gallium Arsenic
GaAs
144.64
块状,粉末
5.31g/mL
1238℃
4N (99.99%), 5N (99.999%), 6N (99.9999%)
10476-86-5
碘化锶
Strontium Iodide Anhydrous
SrI2
341.43
粉末
4.55g/mL
515℃
1773℃
3N5 (99.95%)